FET
小信号
FET
I
硅
MOS FET
G
小信号用
绝对最大额定
(T
a
= 25°C)
用途
功½
V
DSS
½V
DS
(V)
½−30
−30
20
½20
25
数字
/
模拟开关
30
1.0
50
0.05
½50
80
0.1
0.5
0.1
1.0
0.1
5.0
0.48
max.50
Ω
27
6.0
2.0
350
12
10
2 000
200
15
350
60
20
2 000
200
20
2SK3547
100
2SK3546J
125
2SK0664
150
2SK1228∗
150
2SK3939 100
−0.1
I
D
(A)
电气特性
(T
a
= 25°C)
R
DS(on)
typ.
(Ω)
15
9.0
50
3.0
t
on
typ.
(ns)
850
300
100
250
t
off
typ.
(ns)
850
400
25
480
2SK3973
100
2SK0665
2SK4029
2SK3064
2SK3938
100
2SK2211
1.0
150
150
150
2SJ0675 100
ML3-N2
(SC-101, P
D
SOT-883) (mW)
SSSMini3-F1
(SOT-
723)
封 装
(EIAJ, JEDEC No.)
SSMini3-F1
SMini3-G1
Mini3-G1
MiniP3-F1
P
D
(SC-89,
P
D
(SC-70,
P
D
(SC-59A, P
D
(SC-62,
P
D
(mW) SOT-490) (mW) SOT-323) (mW) SOT-346) (mW) SOT-89) (mW)
2SJ0672
100
2SJ0674
100
2SJ0536
150
max.50
Ω
max.1.0
µs
max.1.0
µs
0.26
30
8.0
150
30
35
2SK1374∗
150
2SK3539
150
2SK0601
1.0
∗:
2.5 V
驱动
G
功率控制用
用途
功½
绝对最大额定
(T
a
= 25
℃
)
型号
极性
V
DSS
(V)
12
20
20
V
GSS
(V)
8
10
10
I
D
(A)
4
3
4.5
P
D
(mW)
500
500
500
电气特性
(T
a
= 25
℃
)
R
DS(on)
(mΩ)
V
GS
= 4.0 V V
GS
= 2.5 V V
GS
= 1.8 V
30
40
20
35
45
26
50
—
—
Ciss
(pF)
1 200
1 000
1 200
SMini3-G1
(SC-70,SOT-323)
封装
(EIAJ, JEDEC No.)
MTM23110
负½½
SW
MTM23123
MTM23223
Pch
Pch
Nch
I
硅结型
FET
绝对最大额定
(T
a
= 25
℃
)
用途
V
DSO
½
V
GDS
(V)
通用
½频放大
通用
½
–65
½
65
电气特性
(T
a
= 25
℃
)
封装
(EIAJ, JEDEC No.)
NS-A1
(SC-72)
NS-B1
NV
❇NF
I
DSS
SSMini3-F1
SMini3-G1
Mini3-G1
I
D
SSSMini3-F1
(SC-89,
(SC-70,
max.
½typ.
max.
P
D
P
D
(SC-59A, P
D
(mA)
(SOT-723) P
D
SOT-490) mW SOT-323) mW SOT-346) mW
(mA)
(mV)
mW
20
–20
20
30
2
0.01
—
—
½
60
½
❇2.5
P
D
mW
6
–6
12
dB
20
2SK3372
100
0.4
2SK3426
100
4.7
2SK2593J
125
2SJ0364
150
2SK0662
150
2SK0663
150
2SK1103
150
2SJ0163
150
2SK0198
150
2SJ0164
300
V
GDO
–30
V
GDO
–55
0.004
电容话筒
红外
传感器用
20
½
–40
10
—
2SK2751
200
G22