HAF2001
Table 3 Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Drain current
Drain current
Drain to source breakdown
voltage
Gate to source breakdown
voltage
Gate to source breakdown
voltage
Gate to source leak current
Symbol
I
D1
I
D2
Min
10
—
60
Typ
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.3
0.1
—
—
50
30
12
630
7.5
29
34
26
1.0
110
1.8
0.7
Max
—
10
—
—
—
100
50
1
–100
—
—
250
2.25
65
43
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Unit
A
mA
V
V
V
µA
µA
µA
µA
mA
mA
µA
V
mΩ
mΩ
S
pF
µs
µs
µs
µs
V
ns
ms
ms
I
F
= 20 A, V
GS
= 0
IF = 20 A, V
GS
= 0,
diF / dt = 50 A / µs
V
GS
= 5 V, V
DD
= 12 V
V
GS
= 5 V, V
DD
= 24 V
Test conditions
V
GS
= 3.5 V, V
DS
= 10 V
———————————————————————————————————————————
—————————————————————————————
V
(BR)DSS
I
D
= 10 mA, V
GS
= 0
I
G
= 300 µA, V
DS
= 0
I
G
= –100 µA, V
DS
= 0
V
GS
= 8 V, V
DS
= 0
V
GS
= 1.2 V, V
DS
= 10 V
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
V
(BR)GSS +
16
V
(BR)GSS –
–2.8
I
GSS + 1
—
—
—
—
—
—
—
1.2
—
—
6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
—————————————————————————————
I
GSS + 2
I
GSS + 3
I
GSS –
V
GS
= 3.5 V, V
DS
= 0
V
GS
= 1.2 V, V
DS
= 0
—————————————————————————————
—————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
Input current (shut down)
V
GS
= –2.4 V, V
DS
= 0
I
GS(op)1
V
GS
= 8 V, V
DS
= 0
—————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
Zero gate voltage drain current
Gate to source cut off voltage
Static drain to source on state
resistance
Forward transfer admittance
Output capacitance
Turn–on delay time
Rise time
Turn–off delay time
Fall time
Body–drain diode forward
voltage
Body–drain diode reverse
recovery time
Over load shut down
operation time
(Note 1)
I
GS(op)2
I
DSS
V
GS
= 3.5 V, V
DS
= 0
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
—————————————————————————————
R
DS(on)
|y
fs
|
Coss
t
d(on)
I
D
= 10 A , V
GS
= 10 V
I
D
= 10 A
V
DS
= 10 V
R
DS(on)
I
D
= 10 A , V
GS
= 4 V
V
GS(off)
I
D
= 1 mA, V
DS
= 10 V
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
V
DS
= 10 V , V
GS
= 0
f = 1 MHz
I
D
= 5 A
V
GS
= 5 V
R
L
= 6
Ω
———————————————————————————————————————————
————————————————————————————————
————————————————————————————————
————————————————————————————————
t
f
V
DF
t
rr
t
os1
t
d(off)
t
r
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
—————————————————————————————
t
os2
———————————————————————————————————————————
(Note 1) Including the junction temperature taise of the over loaded condition.
3