2SK1302
Table 2 Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Drain to source breakdown
voltage
Gate to source breakdown
voltage
Gate to source leak current
Zero gate voltage drain current
Gate to source cutoff voltage
Static drain to source on state
resistance
Symbol
V
(BR)DSS
V
(BR)GSS
I
GSS
I
DSS
Min
100
Typ
Max
Unit
V
Test conditions
I
D
= 10 mA, V
GS
= 0
I
G
= ±100 µA, V
DS
= 0
V
GS
= ±16 V, V
DS
= 0
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
±20
V
———————————————————————————————————————————
1.0
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Body to drain diode forward
voltage
Body to drain diode reverse
recovery time
* Pulse Test
|y
fs
|
10
0.065
0.085
16
1300
540
160
12
100
300
150
1.3
±10
250
2.0
0.085
0.12
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
I
F
= 20 A, V
GS
= 0
I
F
= 20 A, V
GS
= 0,
di
F
/dt = 50 A/µs
I
D
= 10 A, V
GS
= 10 V,
R
L
= 3
µA
µA
V
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
R
DS(on)
V
GS(off)
I
D
= 1 mA, V
DS
= 10 V
I
D
= 10 A, V
GS
= 10 V *
I
D
= 10 A, V
GS
= 4 V *
———————————
——————————–
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
Ciss
Coss
Crss
t
d(on)
t
r
I
D
= 10 A, V
DS
= 10 V *
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
f = 1 MHz
————————————————————————————————
————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
————————————————————————————————
————————————————————————————————
————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
V
DF
t
rr
t
f
t
d(off)
———————————————————————————————————————————
300
ns
———————————————————————————————————————————
2
Home Index Bookmark Pages Text
Previous Next
Pages: Home Index